在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（）

用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（C）的绝缘状况（） 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？ 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些？ 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些 用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？ 用QSl型西林电桥进行实际测量时，消除磁场干扰的办法有：将电桥移到磁场干扰以外;在检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的试品tgδ值和电容值，然后再求取两次的平均值，以消除磁场干扰的影响。( ) 现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大（） QSl型西林电桥正接线适用于被试品一端接地的情况。( ) 用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（） 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰（） 西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。 西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响（） 适合测量损耗小的电容器的电桥是（）电桥 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量（） 现场用QSl西林电桥测量设备的tgδ，当出现较大的电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tgδ值均比真实值大。( ) 在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡（） 简述测量小电容量试品绝缘电阻的操作步骤？