多选题

电路如下图所示,晶体管的b=100,=100Ω。若电容Ce开路,则将引起电路的哪些参数发生变化()

A. 静态工作点的值
B. 电压放大倍数的值
C. 输入电阻的值
D. 输出电阻的值

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多选题
电路如下图所示,晶体管的b=100,=100Ω。若电容Ce开路,则将引起电路的哪些参数发生变化()
A.静态工作点的值 B.电压放大倍数的值 C.输入电阻的值 D.输出电阻的值
答案
单选题
晶体三极管放大电路如图所示,在进入电容CE之后:
A.放大倍数变小 B.输入电阻变大 C.输入电阻变小,放大倍数变大 D.输入电阻变大,输出电阻变小,放大倍数变大 E.
答案
单选题
晶体三极管放大电路如图所示,在进入电容CE之后()
A.放大倍数变小 B.输入电阻变大 C.输入电阻变小,放大倍数变大 D.输入电阻变大,输出电阻变小,放大倍数变大
答案
单选题
电路如图所示,若更换晶体管,使B由50变为100,则电路的电压放大倍数约为(  )。
A.原来值的1/2 B.原来的值 C.原来值的2倍 D.原来的4倍
答案
单选题
放大电路如图a所示,晶体管的输出特性肋线以及放大电路的交、直流负载线如图b所示。设晶体管的β=50,U=0.7V,放大电路的电压放大倍数Au为()
A.-102.6 B.-88.2 C.-18.9 D.-53
答案
单选题
晶体管单管放大电路如图a所示,其中电阻可调,当输入、 输出的波形如图b所示,输出波形为()
A.出现了饱和失真,应调大 B.出现了饱和失真,应调小 C.出现了截止失真,应调大 D.出现了截止失真,应调小
答案
主观题
如下电路中的晶体管为硅管, β=100 ,则晶体管的工作状态为( )。
答案
单选题
电路如图所示,晶体管T的,结电容可以忽略,Rs1600μF.放大电路的电压放大倍数为()
A.67.1 B.101 C.-67.1 D.-101
答案
判断题
脉冲电路的基本组成包括晶体管开关和电容电路。
答案
单选题
晶体管单管放大电路如图7-5-18 (a) 所示,其中电阻的波形如图7-5-18 (b) 所示时,输出波形()
A.出现了饱和失真,应调大 B.出现了饱和失真,应调小 C.出现了截止失真,应调大 D.出现了截止失真,应调小
答案
热门试题
晶体管高频交流等效电路中结电容不能忽略 晶体管—晶体管电路形式指是(4052)() 已知晶体管的输入信号为正弦波,下图所示输出电压波形产生的失真为 TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路() TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。() 串联型晶体管稳压电路是将晶体管作为()在电路中使用。 ()TTL"与非"门逻辑电路是晶体管-晶体管型集成门电路。 电力晶体管()电路。 放大电路如图2-2-15所示,设晶体管β=50,,为使电路在可变电阻时,晶体管刚好进入饱和状态,电阻R应取()kΩ 晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容,都属于寄生电容。 晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容,都属于寄生电容() 在电路中接入单结晶体管时,若把b1、b2接反了,就会烧坏管子。 晶体管延时电路可釆用单结晶体管延时电路、不对称双稳态延时电路及MOS型场效应晶体管延时电路来实现。 晶体管V1的=50,晶体管V2的=30,若两管组成复合晶体管,则该复合晶体管的p约为() 晶体管非门电路如图7-5-16所示,=20kΩ,β=40, 如图所示单结晶体管振荡电路,决定控制角a的元件是() 利用JT-1型晶体管特性图示仪,不但可以测试晶体管,换可以测量电容的电容量、电感的电感量只能测量晶体管() 晶体管-晶体管逻辑电路数字集成电路中最基本的门电路是() 单结晶体管弛张振荡电路,电容上的电压波形是() 图示的晶体管均为硅管,测量的静态电位如图所示,处于放大状态的晶体管是( )。
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