运行中高频通道传输衰耗超过投运时的3dB。时，相当于收信功率降低

1310nm和850nm光纤回路（包括光纤熔接盒）的衰耗不应大于3dB（） 高频保护采用相地制高频通道是因为相地制通道衰耗小。() 高频保护采用相－地制高频通道是因为相－地制通道衰耗小（） 空芯线圈在低频时相当于一个电感和电阻串联，而高频时相当于一个电感和电容串联（） 高频通道中一侧的终端衰耗约为（） 高频保护使用的频率越高其通道衰耗越小 。 耦合电容器对于工频量相当于，对于高频信号相当于（） 空心线圈在较低频时相当于一个电感和电阻串联，而高频时相当于一个电感和电容串联。( )[331010102] 使用AFEA配置O1的INTRATALK DE34基站，BYPASS THE HYBRID COMBINER后，可以减少3DB的衰耗 空芯线圈在较低频率时相当于一个电感和电阻串联，而高频时相当于一个电感和电容串联（） 在高频电路中，电容相当于（ 测定COD时，每消耗1mmol/LKCrO相当于耗氧毫克数 高频保护采用相一地制高频通道是因为相一地制通道衰耗小 。 纯电抗发生串联谐振时相当于开路，发生并联谐振时相当于短路 理想二级管导通时，相当于开关__，截止时相当于开关__ 测定高锰酸钾指数时，每消耗1mmol/LKMnO相当于耗氧毫克数（） 继电保护高频通道对阻波器接入后的分流衰耗在阻塞带内一般要求不大于dB（） （　　）相当于最大心率的60%～75%，自我感知运动强度稍累，代谢当量3～5.9METs，相当于最大耗氧量的40%～60%。 相当于最大心率的60%-75%，自我感知运动强度稍累，代谢当量3-5.9MET，相当于最大耗氧量的40%-60%（） 耗氧量3.5ml/（kg·min）相当于