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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用()
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用()
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用()
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单选题
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为()
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主观题
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主观题
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答案
单选题
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答案
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