主观题

中国大学MOOC: 硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少?

查看答案
该试题由用户235****18提供 查看答案人数:28884 如遇到问题请 联系客服
正确答案
该试题由用户235****18提供 查看答案人数:28885 如遇到问题请联系客服

相关试题

换一换
热门试题
中国大学MOOC: 以下具有单纯被动扩散特征的是( ) 扩散硅式差压变送器的检测元件采用扩散硅压阻传感器,输入差压AP作用于测量部分的扩散硅压阻片上,引起扩散电阻(应变片)阻值发生变化来测量差值() 中国大学MOOC: 电子级纯的多晶硅的纯度为()。 中国大学MOOC: 与气体扩散速率有关的正确说法是 中国大学MOOC: 下列哪些因素能使气体扩散速率减慢 中国大学MOOC: 如下现象中,与分子扩散有关的有____。 采用硅铁粉进行扩散脱氧对硅铁粉的含Si量无要求。 中国大学MOOC: 当前,单晶硅的制备中85%左右都是采用()。 中国大学MOOC: 含硅薄膜的干法刻蚀工作气体主要是()。 中国大学MOOC: 氨基酸能以单纯扩散的方式进行转运。 中国大学MOOC: 与气体扩散速率有关的说法,正确的是 中国大学MOOC: 通常,温度升高,液体的互溶度增大,对萃取操作不利。 中国大学MOOC: 对于点-轴渐进扩散理论,下列说法正确的是: 中国大学MOOC: 热扩散工艺中扩散结深通常采用()和()两种方法进行测量。 下列哪些元素在硅中是快扩散元素:()。 影响P向硅中扩散速度的因素有() 下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:() 简述扩散硅式压力(差压)变送器的工作原理? 中国大学MOOC: 硅、锰是我国低合金钢主要的合金元素。
购买搜题卡 会员须知 | 联系客服
会员须知 | 联系客服
关注公众号,回复验证码
享30次免费查看答案
微信扫码关注 立即领取
恭喜获得奖励,快去免费查看答案吧~
去查看答案
全站题库适用,可用于E考试网网站及系列App

    只用于搜题看答案,不支持试卷、题库练习 ,下载APP还可体验拍照搜题和语音搜索

    支付方式

     

     

     
    首次登录享
    免费查看答案20
    微信扫码登录 账号登录 短信登录
    使用微信扫一扫登录
    登录成功
    首次登录已为您完成账号注册,
    可在【个人中心】修改密码或在登录时选择忘记密码
    账号登录默认密码:手机号后六位