电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（）

电力场效应晶体管MOSFET适于在条件下工作（） 电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。 电力场效应晶体管是理想的电流控制器件。 电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小，但存在二次击穿（） 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿（） 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。 场效应晶体管与晶体管有何不同？ 电力场效应晶体管MOSFET相对而言，更适于在条件下工作（） 电力场效应晶体管栅极绝缘，栅极无电流，所以栅极驱动功率为零。 场效应晶体管可用于（）。 场效应晶体管可应用于大规模集成、开关速度高、信号频率高的电路。（） 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（） 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。 晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成（） 场效应晶体管的控制方式是()。 场效应晶体管的特点是输入阻抗低和极限频率低（） 功率场效应晶体管一般为()。