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电力晶体管的开关频率()电力场效应晶体管的开关频率()
单选题
电力晶体管的开关频率()电力场效应晶体管的开关频率()
A. 稍高于
B. 低于
C. 远高于
D. 等于
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单选题
电力晶体管的开关频率()电力场效应晶体管的开关频率()
A.稍高于 B.低于 C.远高于 D.等于
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单选题
绝缘栅双级晶体管的开关速度()电力场效应晶体管。
A.稍高于 B.低于 C.等于 D.远高于
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单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET是()器件。
A.双极型 B.多数载流子 C.少数载流子 D.无载流子
答案
主观题
电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?
答案
单选题
电力场效应晶体管适用于()的设备。
A.高速、大容量 B.低速、大容量 C.高速、小容量 D.低速、小容量
答案
判断题
电力场效应晶体管属于双极型器件。
答案
单选题
电力晶体管的开关频率()电力磁场效应管的开关频率
A.稍高于 B.低于 C.远高于 D.等于
答案
单选题
电力场效应晶体管是理想的()控制型器件
A.电压 B.电流 C.电阻 D.功率
答案
热门试题
电力场效应晶体管MOSFET适于在条件下工作()
电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。
电力场效应晶体管是理想的电流控制器件。
电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小,但存在二次击穿()
电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿()
电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
场效应晶体管与晶体管有何不同?
电力场效应晶体管MOSFET相对而言,更适于在条件下工作()
电力场效应晶体管栅极绝缘,栅极无电流,所以栅极驱动功率为零。
场效应晶体管可用于()。
场效应晶体管可应用于大规模集成、开关速度高、信号频率高的电路。()
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
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场效应晶体管的控制方式是()。
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