功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而（）。
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功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而（）。
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功率场效应管最大功耗随管壳温度的增高而上升（）
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功率场效应晶体管一般为()。
A.N沟道耗尽型 B.N沟道增强型 C.P沟道耗尽型 D.P沟道增强型
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门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
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场效应晶体管可用于（）。
A.数字电路的开关、大规模集成电路等 B.整流电路、放大电路 C.滤波电路、整流电路 D.小规模集成电路、开关电路
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场效应晶体管与晶体管有何不同？
答案
功率场效应晶体管的三个引脚符号为（）。
A.源极S，漏极D，发射极E B.漏极D，发射极E，集电极C C.栅极G，发射极E，集电极C D.源极S，漏极D，栅极G
答案
场效应晶体管的控制方式是()。
A.输入电流控制输出电流 B.输入电流控制输出电压 C.输入电压控制输出电流 D.输入电压控制输出电压
答案
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
电力场效应晶体管MOSFET（）现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
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结型场效应晶体管可分为（）。
电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。
功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（）
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件
的本质是一个场效应晶体管（）
场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?
绝缘栅型场效应晶体管可分为（）
电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（）
绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。
绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
场效应晶体管是用（）控制漏极电流的
场效应晶体管是由控制漏极电流的
电力场效应晶体管属于双极型器件。
电力场效应晶体管适用于（）的设备。
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件（）
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件（）
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