晶体二极管不管加多大的反向电压都截止。

晶体二极管的最高反向工作电压是取反向击穿电压的（）。 晶体二极管的最大反向电流越大，表示二极管的（）越差。 晶体二极管反向击穿后立即烧毁。(      )   一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 晶体二极管正、反向电阻均为无穷大，那么二极管己损坏（） 晶体二极管的主要参数有（）和最高反向工作电压 当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时.该晶体二极管相当于（） 若小功率晶体二极管正、反向电阻均为零，那么二极管已损坏。 若小功率晶体二极管正、反向电阻均为零，那么二极管已损坏（） 如果晶体二极管的正向电阻都很大，则该晶体二极管（） 晶体二极管反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 晶体二极管反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差（） 晶体二极管的常用参数包括（）、反向电流、最高反向工作电压、最高工作频率。 晶体二极管的常用参数包括（）、反向电流、最高反向工作电压、最高工作频率 半导体二极管又称为晶体二极管（） 晶体二极管（）的导电特性，称为晶体二极管的单向导电性。 晶体二极管按材料可分为（）二极管和（）二极管。 晶体二极管具有（）特性，即正向（）反向（）。常用于（）、（）等。 晶体二极管具有正向电阻（）反向电阻大的特点。 晶体二极管具有正向电阻（）反向电阻大的特点