晶体二极管的最大反向的工作电压（）

晶体二极管的常用参数包括（）、反向电流、最高反向工作电压、最高工作频率 如果晶体二极管的正反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管已被击穿（） 晶体二极管的最高反向电压为反向击穿电压值的()或()。 晶体二极管反向击穿后立即烧毁。(      )   一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 晶体二极管正、反向电阻均为无穷大，那么二极管己损坏（） 最高反向工作电压是指晶体二极管的参数变化不超过规定的允许值时的最大反向电压，保证二极管在使用中不至因反向过压而损坏（） 当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时.该晶体二极管相当于（） 若小功率晶体二极管正、反向电阻均为零，那么二极管已损坏。 若小功率晶体二极管正、反向电阻均为零，那么二极管已损坏（） 如果晶体二极管的正向电阻都很大，则该晶体二极管（） 晶体二极管反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 晶体二极管反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差（） 在晶体二极管的反向截止区，反向电流随反向电压的增大而迅速增大。（） 晶体二极管的主要参数是最大正向电流、（）电压。 如果二极管的反向电压大于最大反向电压，则二极管可能（） 在选择和使用晶体二极管时，主要的参考参数有最大整流电流和最高反向工作电压。 在选择和使用晶体二极管时，主要的参考参数有最大整流电流和最高反向工作电压（） 半导体二极管又称为晶体二极管（） 晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。