PMOS管的开启电压Ur为（）

二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。 二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V 二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 关于MOS管的开启电压和夹断电压，下面说法中正确的是 串联谐振时，电感电压和电容电压相等UL=UC，外加电压等于电阻电压U=UR。() P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ 温度升高时，二极管的开启电压将增大（） 下图中，参考电压Ur=1V，双向稳压管Uz=±6V，输入信号Vi=5√2sinwtV，则Uo为（） 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数 在RLC串联电路中，电阻上的电压UR与总电压U的关系有（） 在常温下,硅二极管的开启电压约为 设二极管为理想二极管，反向击穿电压为20V，R为1kΩ，E为5V，求UD、UR、I（） 在常温下,硅二极管的开启电压约为 V 在常温下，硅二极管的开启电压约为 V（） 套管额定电压Ur为550kV，相应的系统标称电压Un为500kV（） 硅三极管的开启电压为0.5V~0.7V（） 肖特基二级管正向压降小，开启电压___________，正向导通损耗小。 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 硅的开启电压比锗的开启电压高 肖特基二极管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。