关于晶体中的缺陷，下面哪种说法是正确的（）
A. 空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷
B. 滑移是线缺陷的一种主要运动形式
C. 晶体硅的层错多发生在（111）面
D. 为达到所设计的电学特性可以将杂质硼无限制掺入硅晶体
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关于晶体中的缺陷，下面哪种说法是正确的（）
A.空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷 B.滑移是线缺陷的一种主要运动形式 C.晶体硅的层错多发生在（111）面 D.为达到所设计的电学特性可以将杂质硼无限制掺入硅晶体
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关于晶体缺陷，下面哪种说法是错误的？（）
A.点缺陷包括间隙原子和空位两种情况 B.在一定范围内，线缺陷的密度越大，金属的强度越大 C.在一定范围内，线缺陷的密度越小，金属的强度越大 D.晶界是面缺陷，而亚晶界不是
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下面哪种是硅晶体中的点缺陷（）
A.硅晶体中的磷杂质 B.晶体中的带一个正电的空位 C.硅晶体有少量的钠 D.层错
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A.吸毒是一种违法行为，不仅毁灭自己，还祸及家庭 B.静脉注射毒品，可能会感染艾滋病 C.吸毒非常容易成瘾，有的人只吸一支含有毒品的烟就会上瘾 D.以上都是
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