通常集射极反向击穿电压应大于电源电压的（）倍。

二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（） 晶体二极管的最高反向工作电压是取反向击穿电压的（）。 二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压（） 二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。 某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。 二极管反向工作峰值电压，一般是反向击穿电压的1/3（） 二极管的最高反向工作电压一定（）二极管的反向击穿电压。 某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（） 当二极管外加反向电压超过一定数值后，反向电流突然（），此称为二极管反向击穿，这时所对应的电压称为反向击穿电压。 当二极管两端所加电压大于反向击穿电压UBR时，二极管伏安特性处于特性 稳压管的反向击穿电压必须大于6V（） 稳压管的反向击穿电压必须大于6V（） 硅材料稳压二极管的反向击穿电压为（） 二极管所允许的最高工作电压的峰值等于反向击穿电压（） 可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（） 一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为()。 某硅二极管的反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压为()   可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ 一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为。[难]（） 一个硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压为（）。