中国大学MOOC: 发射区与（ ）区是同种类型的半导体。

中国大学MOOC: 晶体Si是直接带隙半导体。 中国大学MOOC: P型半导体中多子为（ ）。 晶体管的集电区和发射区的导电类型相同，所以集电区和发射区颠倒使用，放大能力不变（） 中国大学MOOC: 半导体PN结的电特性是指：（ ） 中国大学MOOC: N型半导体的多数载流子是 。 中国大学MOOC: 一个数组只允许存储同种类型的变量。 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（） 中国大学MOOC: P型半导体的导电载流子主要是：_______________。 中国大学MOOC: 半导体激光器主要由( )组成。 中国大学MOOC: 金属和半导体接触的整流特性可用于？ 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用（） 中国大学MOOC: 芯片是半导体元件产品的统称，又称为什么？ 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。 发射区与基区之间的PN结称为 中国大学MOOC: 在半导体加工工艺中掺杂的目的主要是（）。 中国大学MOOC: n型半导体的导电载流子主要是 。（电子/空穴） 中国大学MOOC: 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 中国大学MOOC:"HII区是指"; 中国大学MOOC: 半导体制造工艺中掺杂的主要目的是（）。