发射区与基区之间的PN结称为

为了使晶体管能够有效的起放大作用，其管芯结构总是使发射区掺杂浓度高，基区宽度小，集点结面积比发射结面积小（） 三极管的发射极与（）之间的PN结称为（），集电极与（）之间的PN结称为（）。 三极管的发射极与（）之间的PN结称为（），集电极与（）之间的PN结称为（） 半导体三极管的发射区、基区和集电区引出相应的发射极、基极和集电极（） 晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子，集电区的作用是收集这些自由电子。() 无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。 三极管BJT制作时，通常基区掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则很高。() 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度基区的（） 晶体管的内部放大条件是：发射区重掺杂，基区轻掺杂且宽度很窄，集电极面积大等。() 当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置（） 晶体三极管的三个引出电极是基极、发射极和集电极，基极和发射区间的PN结称为()。 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。 发射区掺杂浓度 （高？低？） 晶体管的集电区和发射区的导电类型相同，所以集电区和发射区颠倒使用，放大能力不变（） 二极管的正极与PN结的P区连接，负极与PN结的N区相连。 中国大学MOOC: 发射区与（ ）区是同种类型的半导体。 晶体三极管有基区.发射区和集电区等三个导电区；有基极.发射极和集电极等三个电极；有放大.截止和饱和三种工作状态（） PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称反向偏置接法（） PN结的P区接电源负“极”,N区接电源正极,称反向偏置接法。( )