在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关，而与掺杂浓度无关

半导体材料的载流子浓度与温度有关。 温度升高时，杂质半导体中的多子浓度明显增加。() 室温附近，当温度升高时，杂质半导体中（???）浓度明显增加。 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____ 掺杂半导体是掺入杂质的半导体（） 电离度与浓度关系是，电离度只与温度有关，而与溶液的浓度无关（） 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与有很大关系（） 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（） 杂质半导体中多数载流子浓度取决于（），少数载流子浓度取于（） N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。（? ? ? ） 掺杂半导体中，载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子，在低杂质浓度下迁移率都，在高浓度下达到（） 中国大学MOOC: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于温度。 在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（） 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（） 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( ) 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，杂质浓度大，扩散电流大;杂质浓度小，扩散电流小（） 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小（）