增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。()

根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。（） N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电（） 结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（） 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（） 增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时（） N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） 所谓增强型场效应管是指当uGS=0时有导电沟道 场效应管按其结构不同可分为结型与绝缘栅型场效应管，但它们均有三个电极（） 结型场效应管可以采用自给偏压电路设置静态工作点。 增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道 场效应管的类型有绝缘栅型场效应管和（） 增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流。 增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流（） 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。() MOS场效应管的英语缩写是（）。 结型场效应管的VGS可正可负或为零（） 增强型MOS管具有开启电压（）