在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。

将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？ 在清洗硅片时常用到真空高温处理法，不是其优点是（） 在给硅片清洗时，通常将杂志分为三类，包括（）①分子杂质②原子杂质③化学杂质④离子杂质 硅片加工工艺流程主要包括（） 净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。 直径〉15.24cm的单晶硅片 多晶硅片生成流程中不包括？（） 硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？ 用于制备IC的硅片常用晶向为（） 世界上首位“芯片人”是将一个硅片脉冲转发器植入（）。 7.5cm≤直径≤15.24cm单晶硅片 例举出硅片厂中使用的五种通用气体。 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。 例举硅片制造厂房中的7种玷污源。 炉中钎焊完毕时，炉内温度降低到()℃以下时，才可关闭扩散泵。 空调系统风道清洗完工后，需要使用压缩空气将（）吹干。 暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。 什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？ 理论研究表明，硅片的厚度最低可以降至（）μm 每批炉料的矿石先装入炉内，焦炭后装入炉内，称为（）装。