判断题

晶体管在长期工作过程中,受外界温度及电压不稳定的影响,即使输入信号为零时,放大电路输出端仍有缓慢的信号输出,这种现象叫做零点漂移()

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判断题
晶体管在长期工作过程中,受外界温度及电压不稳定的影响,即使输入信号为零时,放大电路输出端仍有缓慢的信号输出,这种现象叫做零点漂移()
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单选题
晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升茼时,晶体管的β、、的变化情况为()
A.β和增加,减小 B.β和减小,增加 C.β增加,和减小 D.β减小,和都增加
答案
单选题
晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为(  )。
A.β和ICBO增加,UBE减小 B.β和UBE减小,ICBO增加 C.β增加,ICBO和UBE减小 D.β减小,UBE和ICBO都增加
答案
单选题
晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为(  )。
A.β增加,ICBO和UBE减小 B.β和ICBO增加,UBE减小 C.β和UBE减小,ICBO增加 D.β、ICBO和UBE都增加
答案
主观题
晶体管放大器受外界影响因素指()等,其中以()影响最大,所以正常放大电路都加有一定的稳定工作点措施。
答案
主观题
晶体管放大器受外界影响因素指()等,其中以()影响最大,所以正常放大电路都加有一定的稳定工作点措施
答案
主观题
与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能(????? )。
答案
判断题
在MGB1420万能磨床中,对于单结晶体管来说,选得太大触发时间容易不稳定。
答案
判断题
在MGB1420万能磨床中,对于单结晶体管来说,选得太小触发时间容易不稳定。
答案
单选题
与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。()
A.正确 B.错误
答案
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