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存在擎住效应的器件是( ? )。
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存在擎住效应的器件是( ? )。
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主观题
存在擎住效应的器件是( ? )。
答案
主观题
在导通过程中,能引起擎住效应的器件为(? )。
答案
单选题
IGBT存在擎住效应。()
A.错误 B.正确
答案
单选题
GTR存在擎住效应。()
A.错误 B.正确
答案
主观题
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答案
主观题
下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题
答案
主观题
效应器
答案
判断题
交感神经由中枢发出后直达效应器官,支配效应器官的活动。
答案
判断题
交感神经由中枢发出后直达效应器官,支配效应器官的活动。
A.正确 B.错误
答案
单选题
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答案
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