下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题
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下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题
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IGBT的开关速度要高于电力MOSFET（）
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IGBT的开关速度要高于电力MOSFET。（)
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IGBT是电力MOSFET和GTO器件的复合。???????????????? ( ?? )
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IGBT的开关速度速度要高于电力MOSFET（）
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由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在，使IGBT的开关速度电力MOSFET（）
A.低于 B.等于 C.高于 D.无法比较
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A.是可转让大额定期存单转让而非发行的市场 B.到期时，CDs持有人只能向银行提取利息，不能提取本金 C.CDs面额一般较小 D.CDs一般不能提前支取
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IGBT是将MOSFET与GTR的优点集于一身（）
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关于道德与法律，说法的正确是（）。
A.在法律健全完善的社会，不需要道德 B.由于道德不具备法律那样的强制性，所以道德的社会功用不如法律 C.在人类历史上，道德与法律同时产生 D.在一定条件下，道德与法律能够相互作用、相互转化
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关于涂膜下列说法正确是（）
A.过厚的涂膜会增加成本 B.涂膜过厚会引起起泡 C.涂膜过薄易受到腐蚀 D.过薄降低涂膜寿命
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IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（）
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。
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