在杂质半导体中多数载流子数目取决于掺杂浓度（）

在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关 当温度升高，掺杂半导体中的多数载流子浓度明显增加（） N型杂质半导体中，多数载流子是（） 在杂质半导体中，多数载流子的数量与（ ）有关 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（） 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。 在N型半导体中，多数载流子是 ，在P型半导体中，多数载流子是 。 N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 P型半导体载流子中,自由电子的数目()空穴数目,空穴成为多数载流子(多子),该半导体以空穴导电为主 N型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______ P型半导体中，自由电子为多数载流子，而N型半导体中，空穴为多数载流子（） 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____ N型半导体以（）导电为主，也称为（）型半导体，其中（）为多数载流子，（）为少数载流子； P型半导体以（）导电为主，也称为（ ）型半导体，其中（）为多数载流子，（）为少数载流子。 在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子。 在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。 在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子 纯净的半导体中，掺入少量（），空穴数目大大增加，成为多数载流子。 P型半导体中多数载流子是()，N型半导体中()载流子是空穴。