在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与有很大关系（）

杂质半导体的少数载流子数量取决于温度（） 在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 N型杂质半导体中，多数载流子是（） 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____ 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，杂质浓度大，扩散电流大;杂质浓度小，扩散电流小（） 在杂质半导体中，多数载流子的数量与（ ）有关 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小（） 如果在本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度大于受主杂质浓度，会造成什么结果（） 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。 N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成 当温度升高，掺杂半导体中的多数载流子浓度明显增加（） P型半导体中，自由电子为多数载流子，而N型半导体中，空穴为多数载流子（） 掺杂半导体中，载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子，在低杂质浓度下迁移率都，在高浓度下达到（） 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（） 杂质半导体的少数载流子随温度升高其数量（）