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p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于禁带中,但接近满带顶。
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p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于禁带中,但接近满带顶。
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主观题
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于
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判断题
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于禁带中,但接近满带顶。
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单选题
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。
A.满带中 B.导带中 C.禁带中,但接近满带顶 D.禁带中,但接近导带底
答案
判断题
n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
答案
主观题
当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
答案
主观题
P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。
答案
单选题
对于只含有一种杂质的非简并p型半导体,费米能级EF随温度升高而()
A.经过一极小值趋近Ei B.单调下降 C.单调上升 D.经过一极大值趋近Ei
答案
主观题
中国大学MOOC: 对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:
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主观题
在半导体中,靠()导电的半导体称P型半导体。
答案
主观题
在半导体中,靠()导电的半导体称P型半导体
答案
热门试题
不含杂质的半导体称为P型半导体
本征半导体的费米能级可能处于?
当氢原子中的电子从2p能级,向其他能级跃迁时( )。
在除氢以外的原子中,2p能级总是比2s能级高()
半导体硅常用的受主杂质是()。
在纯净的半导体中掺入不同的杂质,可形成两种不同的杂质半导体,即N型半导体和()半导体。
N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。(? ? ? )
N型半导体是指在本征半导体中加入微量五价元素所形成的半导体,那么,P型半导体是指在本征半导体中加入微量价元素所形成的半导体()
P型半导体(Positive)在硅或锗的晶体中掺入少量的价杂质元素,即构成 P 型半导体
在硅(Si)单晶中掺入硼(B),可形成n型半导体;掺入磷(P),可形成p型半导体。
N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场()
因半导体中掺加的杂质不同,含杂质半导体可分为()型半导体和()型半导体两类()
学起: N型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
原子轨道中从第五能级组出现能级交错。
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场()
能级原理中的能级层次一般分为()。
在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体()
P型半导体是在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置形成P型半导体,其靠空穴导电,掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强()
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