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n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
判断题
n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
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n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
答案
单选题
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。
A.满带中 B.导带中 C.禁带中,但接近满带顶 D.禁带中,但接近导带底
答案
判断题
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于禁带中,但接近满带顶。
答案
主观题
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于
答案
判断题
N型半导体中不能移动的杂质离子带正电,说明N型半导体呈正电性。 ( )
答案
主观题
P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。
答案
判断题
N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
答案
判断题
N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场()
答案
判断题
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
答案
判断题
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场()
答案
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P型半导体带正电,N型半导体带负电。
P型半导体带正电,N型半导体带负电()
N型半导体带负电,P型半导体带正电。
P 型半导体带正电, N 型半导体带负
“N型半导体带正电,P型半导体带负电。”,这句话是 的
由于P型半导体中含有大量空穴,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电()
N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?
N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电()
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
N型半导体带负电。
N型半导体带正电。()
当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
在纯净的半导体中掺入不同的杂质,可形成两种不同的杂质半导体,即N型半导体和()半导体。
N型半导体多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。()
N型半导体多子是自由电子,所以N型半导体带负电()
由于N型半导体中的多数载流子是自由电子,自由电子带负电,所以N型半导体带负电。()
N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
学起: N型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
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