电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点，即（）
A. 驱动功率大
B. 驱动功率小
C. 开关速度快
D. 开关速度慢
E. 热稳定性好
F. 热稳定性差
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电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点，即（）
A.驱动功率大 B.驱动功率小 C.开关速度快 D.开关速度慢 E.热稳定性好 F.热稳定性差
答案
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
电力场效应晶体管MOSFET（）现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。
A.双极型 B.多数载流子 C.少数载流子 D.无载流子
答案
电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?
答案
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）
A.高 B.相同 C.低 D.不一定高 E.无 F.无 G.无 H.无
答案
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
A.高 B.相同 C.低 D.不一定高
答案
电力场效应晶体管MOSFET适于在条件下工作（）
A.直流 B.低频 C.中频 D.高频
答案
电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。
A.电压 B.电流 C.电阻 D.功率
答案
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
A.直流 B.低频 C.中频 D.高频
答案
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电力场效应管MOSFET适于在（ ）条件下工作。
电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。
电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。
电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿（）
电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（）
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
电力场效应管指的是（）
电力场效应管属于（）
电力晶体管的开关频率（）电力磁场效应管的开关频率
电力场效应晶体管MOSFET相对而言，更适于在条件下工作（）
电力场效应管是指（ ）
绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。
与晶体管相比，场效应管具有哪些优点
与晶体管相比，场效应管具有哪些优点？
电力场效应管MOSEFT是器件（）
电力场效应晶体管属于双极型器件。
电力场效应晶体管适用于（）的设备。
与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。()
电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件
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