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电力场效应晶体管MOSFET()现象。
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A. 有二次击穿
B. 无二次击穿
C. 要防止二次击穿
D. 无静电击穿
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单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
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答案
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单选题
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单选题
电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。
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答案
判断题
电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿()
答案
判断题
电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
答案
单选题
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单选题
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场效应晶体管的输入电阻可高达()。
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