通常硅管导通时的正向压降约为0.2-0.4V。（）

硅二极管导通压降是（）V 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 绪二极管导通时的管压降约V（） 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 硅管的导通压降为( )V。 晶闸管导通时的管压降约为V（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。 当三极管正常放大时，发射结的正向导通压降变化不大．小功率硅管约为( )V，锗管约为( )V。 硅二极管的正向导通压降约为 二极（硅）管的导通压降约为（） 硅二极管的正向管压降约为0.7V（） 二极管导通时，正向压降为0.7V。 二极管导通时，正向压降为0.7V（） 硅二极管导通后的管压降是（）伏。 锗二极管正向导通压降约为V（） 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。