二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（） 锗二极管正向导通压降约为V（） 硅二极管的正向导通压降约为 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 发光二极管正常工作时的正向压降大约为（） 二极管加正向电压时，二极管导通，其正向电阻很大（） 锗二极管的正向压降通常为（）。 二极管正向导通后，电流迅速上升，管压降也随者上升（） 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）