二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管正向导通时，加在二极管两端电压的变化不大，小功率锗管为0.3左右，硅管为()。   一般锗二极管的死区电压为（）,正向导通压降约为（）。 硅二极管正向导通，其管压降为()。 二极管正向导通时，加在二极管两端电压的变化不大，小功率锗管为(),硅管为0.7V左右。   肖特基二极管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。 二极管正向导通后，硅管管压降约为（）,锗管管压降约为（）。 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（） 硅二极管的死区电压为           ,正向导通压降为          ;锗二极管的死区电压为          ,正向导通压降为        。   锗二极管正向导通压降约为V（） 二极管导通后，正向电流和正向电压呈（）关系，正向电流变化较大时，二极管两端的正向压降近于（）,硅管的正向压降为（）,锗管的正向压降为（） 快恢复二极管的正向导通压降比普通二极管低。（ ） 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 硅二极管的正向导通电压一般是（）V。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。