增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流。

场效应管自给偏压电路适合于增强型场效应管组成的放大电路。() 中国大学MOOC: UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ )。（填写增强型MOS管/耗尽型MOS管/JFET） 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（） N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） 增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。() 对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 结型场效应管的UGS跟ID的关系，下述答案中正确的是（） 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。（） 场效应管的类型有绝缘栅型场效应管和（） N沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应大于夹断断电压小于零（） P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（） 静态偏置电路主要有自给偏置电路和外置偏置电路两种，增强型场效应管只能采用偏置电路（） 场效应管是（????）控制型器件。 结型场效应管的VGS可正可负或为零（） 从结构上区分，场效应晶体管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种（） 增强型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道 增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道 晶体管和场效应管的根本区别在于：晶体管是电流控制型器件，场效应管是电压控制型器件