结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽承受反向电压，才能保证其Rcs大的特点（）

中国大学MOOC: MOS型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。 （ ） 绝缘栅型场效应晶体管可分为（） 绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（） 绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（） 绝缘栅双极型晶体管的本质是一个场效应晶体管（） 从结构上区分，场效应晶体管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种（） 绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。 JFET外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点 结型场效应晶体管可分为（）。 （）是耗尽型场效应晶体管的一个重要参数。 绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成（） N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） 门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表 功率场效应晶体管（PowerMOSFET）的栅极绝缘层很薄弱，容易因静电感应被击穿而损坏，在电路中，栅、源极间常并联以防止电压过高（） 场效应晶体管可用于（）。 P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置 场效应晶体管与晶体管有何不同？ 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（） 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。 电力场效应晶体管属于双极型器件。