关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。
A. 具有全或无性质
B. 属去极化局部电位
C. 由突触后膜对Na+通透性增加所致
D. 属超极化局部电位
E. 由突触前膜递质释放量减少所致
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关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。
A.具有全或无性质 B.属去极化局部电位 C.由突触后膜对Na+通透性增加所致 D.属超极化局部电位 E.由突触前膜递质释放量减少所致
答案
下列对抑制性突触后电位描述中正确的是下列对抑制性突触后电位描述中正确的是（）
A.是去极化的局部电位 B.具有全或无性质 C.是超极化局部电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜Na+通透性增加所致
答案
抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜Na+通透性增加所致
答案
关于抑制性突触后电位，以下正确的是
A.是局部去极化电位 B.是局部超极化电位 C.由突触前膜递质释放量减少所致 D.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
A.Na+内流 B.K+内流 C.Ca2+内流 D.Cl-内流 E.K+外流 F.PO2降低、PCO2升高、pH正常
答案
抑制性突触后电位的产生机制是（）
A.突触后膜对N+通透性增大 B.突触后膜对Ca2+、K+通透性增大 C.突触后膜去极化 D.突触后膜超极化 E.突触后膜复极化
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na B.K C.Ca D.Cl E.K
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na 内流 B.K 内流 C.Ca 内流 D.Cl 内流 E.K 外流
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na+内流 B.K+内流 C.Ca2+内流 D.Cl-内流 E.K+外流
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
A.K+外流 B.K+内流 C.CA2+内流 D.Cl-内流 E.NA+内流
答案
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抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
产生抑制性突触后电位（PSP）的主要机制是（）
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简述抑制性突触后电位的产生机制。
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
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抑制性突触后电位是
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抑制性突触后电位是
抑制性突触后电位是（ ）。
抑制性突触后电位是（）
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的
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关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）。
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