单选题

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是:

A. 突触前轴突末梢超极化
B. 突触后膜对Ca2+、K+通透性增大
C. 突触后膜去极化
D. 突触后膜出现超极化
E. 突触后膜出现复极化

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单选题
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是
A.突触后膜出现复极化 B.对Ca药学(士),章节练习,基础知识习题,生理学、K药学(士),章节练习,基础知识习题,生理学通透性增大 C.突触后膜出现超极化 D.突触前轴突末梢超极化 E.突触后膜去极化
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单选题
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是( )。
A.军队文职农学,预测试卷,2022年军队文职人员招聘考试《农学》名师预测卷1 B.突触后膜去极化 C.突触后膜出现超极化 D.突触后膜出现复极化 E.以上都不是
答案
单选题
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是
A.突触后膜对Ca、K通透性增大 B.突触后膜出现超极化 C.突触后膜极化 D.突触前轴突末梢超极化 E.突触后膜出现复极化
答案
单选题
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是:
A.突触前轴突末梢超极化 B.突触后膜对Ca2+、K+通透性增大 C.突触后膜去极化 D.突触后膜出现超极化 E.突触后膜出现复极化
答案
单选题
抑制性突触后电位抑制性突触后电位()
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜Na+通透性增加所致
答案
单选题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.是局部去极化电位 B.具有'全或无'性质 C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致 E.是局部去极化电位
答案
单选题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.是局部去极化电位 B.具有“全或无”性质 C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致 E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
单选题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
答案
单选题
下列关于抑制性突触后电位的叙述()
A.是局部去极化电位 B.具有“全或无”性质 C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致 E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
单选题
关于抑制性突触后电位(IPSP),下列叙述错误的是()。
A.CI-通道开放可降低IPSP B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D.IPSP使神经元的兴奋性增加 E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
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