掺杂半导体中，载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子，在低杂质浓度下迁移率都，在高浓度下达到（）

迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度（） 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（） 杂质半导体中多数载流子浓度取决于（），少数载流子浓度取于（） P型半导体中多数载流子是()，N型半导体中()载流子是空穴。 在N型半导体中，多数载流子是 ，在P型半导体中，多数载流子是 。 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。 半导体材料的载流子浓度与温度有关。 半导体中的载流子（） N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 N型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______ P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子（） 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（） 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（） 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等（） 在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。 在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子。