IGBT的结构和工作原理?IGBT中文全称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成复合全控型电压驱动式功率半超导体器件,具有驱动功率小,饱和降低等特点)

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（） 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点 绝缘门极双极型晶体管（IGBT）属于全控型电力电子器件（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成（） 根据绝缘栅双极晶体管（IGBT）的转移特性，当栅极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT处于状态（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT，将MOSFET与的优点集于一身，是一种复合型电力半导体器件（） 绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。 绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。 由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在，使IGBT的开关速度电力MOSFET（） 高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双极性晶体管（IGBT）适用的频率更高（） GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管（） 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。 IGBT的反向耐压较低，目前，IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。 16号线集中站维谛UL33系列UPS整流器采用第四代绝缘栅双极型晶体管（IGBT）功率器件和多重保护技术保证设备的绝对可靠（） IGBT具有三个极（） IGBT中由于有双极型晶体管存在，带来了电导调制效应使IGBT导通电阻变小，但也引入了少数载流子储存现象，使IGBT开关速度低于电力MOS管（） 绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。 绝缘栅双极晶体管IGbT是一种复合型器件，它是由复合而成的（） 绝缘栅双极型晶体管内部为四层结构。