硅二极管的完全导通后的管压降约为()。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 硅二极管导通低压降是（）伏左右. 二极（硅）管的导通压降约为（） 硅二极管的正向导通压降约为 锗二极管导通压降是（）V 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 当温度升高时，二极管导通压降会 当温度升高时，二极管导通压降会（）。‍ 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 硅二极管正向导通，其管压降为()。 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。