使用QS1西林电桥进行介质损耗因数测量时，对任何电压等级的电气设备，试验电压一般取10kV。

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有（） 采用QS1电桥（西林电桥）测量tanδ，反接线时电桥的三根引线应按试验电压对地绝缘，对接地物体保持一定的绝缘距离，一般不小于（） 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？ 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些 QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（A标准电容器）（） 变压器外壳在运行中直接接地，所以现场测试时采用QS1型西林电桥( )。 下列（）属于西林电桥测量介质损耗角的影响因素 当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN＝0.01F进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000F（） 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。 采用QS1电桥测量t对nδ正接线比反接线准确度低（） 用西林电桥测量介质损耗角正切，可以灵敏地发现（ ）。 现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步，电桥测量无法平衡时，应采用的正确方法是将电桥移位，远离干扰源。 合上QS1型西林电桥的检流计电源开关后，检流计无显示的原因与（）无关。 QS1电桥主要包括升压试验设备、QS1电桥桥体及标准电容器三部分。 介损电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用( )接线较好。 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低（） 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（） QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（A标准电容器）A标准电容器B标准电感C标准电阻（） 采用QS1电桥测量tan6正接线比反接线准确度低（） QS1电桥主要包括三部分（）