单选题

单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

A. 氮化硅
B. 二氧化硅
C. 光刻胶
D. 多晶硅

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