干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么

在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。 STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？ 光刻和刻蚀的目的是什么？ 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？ 中国大学MOOC: 负载效应是指因刻蚀面积变化而导致的刻蚀均匀性的变化，刻蚀速率随着被刻蚀薄膜暴露的面积的增加而下降。? 刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。 中国大学MOOC: 刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率，通常用A。/min表示。 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。 中国大学MOOC: 以下各项描述中不属于湿法刻蚀的特点的是（）。 中国大学MOOC: 硅的湿法刻蚀过程中可能会用到的溶液有（）。 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。 可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。 简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。 简述背沟道刻蚀型结构的优缺点 与干法脱硫相比，湿法烟气脱硫具有的特点是（ ）。