衬底生长的808LD科研，小边在右边（）
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衬底生长的808LD科研，小边在右边（）
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AlGaInP体系808LD程序中量子阱生长材料是（）
A.GaAsP B.AlGaInP C.AlGaAs D.AlInP
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808LD的主要应用是激光生发（）
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一般质量异常对于808LD损失或报废数量为（）
A.2
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4“衬底生长的W-4外延片，小边在左边（）
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在生长外延层GaN之前，在衬底上镀上一层AlN薄膜，可有效降低GaN与衬底的晶格失配，提高GaN的结晶质量（）
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下面哪些说法是正确的（）⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
A.⑴⑵ B.⑵⑷ C.⑴⑵⑷ D.⑴⑵⑶⑷
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中国大学MOOC: 下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
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压花用的衬底材料非常广泛，有纸质衬底材料、木质衬底材料、纤维织物、玻璃和陶瓷等等（）
A.正确 B.错误
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衬底材料就是制作压花艺术作品时使用的衬底，也就是压花的载体。
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