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利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
主观题
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
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主观题
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
答案
判断题
在生长外延层GaN之前,在衬底上镀上一层AlN薄膜,可有效降低GaN与衬底的晶格失配,提高GaN的结晶质量()
答案
判断题
4“衬底生长的W-4外延片,小边在左边()
答案
单选题
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A.重复 B.叠加 C.生长 D.延长
答案
主观题
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答案
主观题
外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。
答案
多选题
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层()
A.MBE B.VPE、LPE C.UHV/CVD D.SEG、SPE
答案
主观题
砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延
答案
单选题
外延层晶格常数大,存在,外延片呈型()
A.张应变、凸 B.张应变、凹 C.压应变、凹 D.压应变、凸
答案
主观题
外延生长方法比较多,其中主要的有、固相外延等
答案
热门试题
硅外延生长工艺包括()。
划分后各子项外延之和大于母项外延,就会犯()的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延,就会犯()的逻辑错误。
外延生长工艺流程是()。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些?
中国大学MOOC: 外延生长工艺流程是()。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长
以下不为影响MOCVD设备形成外延层的晶相、成长速率的因素为()
简述教育技术的内涵和外延
异地高考的外延小于高考移民的外延。
高考移民的外延大于异地高考的外延。
高考移民的外延大于异地高考的外延()
什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化?
简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?
异地高考的外延要比高考移民的外延小。
“多出子项”指的是子项的外延之和母项的外延
如果A概念的部分外延与B概念的全部外延重合,则A与B的外延间可能是().
“概念的内涵”与“概念的外延”之间的外延关系是( )
外延结晶
反对关系是指同一属概念下两个在外延上相互排斥,而其外延之和小于属概念外延的概念之间的关系。矛盾关系是指同一属概念之下的两个在外延上互相排斥,而其外延之和等于其属概念全部外延的概念之间的关系。根据上述定义,下列属于反对关系的是()。
划分子项的外延之和必须等于划分母项的外延()
“青年”和“大学生”在外延上是()关系。
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