电力电子器件导通时(通态)阻抗很小，接近于短路，管压降非常大。()

绪二极管导通时的管压降约V（） 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 当温度升高时，二极管导通压降会 当温度升高时，二极管导通压降会（）。‍ 二极（硅）管的导通压降约为（） 控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为()。 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 通常硅管导通时的正向压降约为0.2-0.4V。（） 锗晶体管的导通压降约|UBE|为( ) 晶闸管导通后的管压降一般为 硅二极管导通压降是（）V 锗二极管导通压降是（）V 一个理想的功率半导体器件应该是在导通状态时，具有高的电流密度和低的导通压降。() 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 硅二极管导通后的管压降是（）伏。 按电力电子器件的控制方法分类 ， 电力电子器件可分为（） 456（公用）晶闸管在导通状态时，当阳极电压减少到接近于零时，晶闸管关断。A.对B.错（） 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。 电力电子器件阻断时的特点（）