晶体管的内部放大条件是：发射区重掺杂，基区轻掺杂且宽度很窄，集电极面积大等。()

晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子，集电区的作用是收集这些自由电子。() 从三极管制造工艺上看，发射区掺杂浓度( )，用来发射载流子； 晶体三极管有3个导电区：发射区、基区、集电区。 晶体管都是由掺杂半导体做成的 发射区与基区之间的PN结称为 晶体管都是由掺杂半导体做成的。（6271）（） 基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。 PN结位于发射区与基区之间被称为()。 晶体三极管有3个导电区，其中基区与发射区之间的PN结被称为（）。 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。 无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。 晶体三极管有基区.发射区和集电区等三个导电区；有基极.发射极和集电极等三个电极；有放大.截止和饱和三种工作状态（） 晶体管放大器的输入电阻即为输出电阻，且等于晶体管内阻。（） 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 为了保证三极管的电流放大．一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。 中国大学MOOC: NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（ ）。 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。 晶体的掺杂浓度分为（） 晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用