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温度升高时,可控硅的触发电流、维持电流将要减小,正反向电流将增大()
判断题
温度升高时,可控硅的触发电流、维持电流将要减小,正反向电流将增大()
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温度升高时,可控硅的触发电流、维持电流将要减小,正反向电流将增大()
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判断题
可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响,温度升高触发电压和触发电流值降低,反之则增大()
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主观题
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主观题
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判断题
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A.大于 B.小于 C.等于
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判断题
流过可控硅的电流小于维持电流时,可控硅就自行关断。
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判断题
流过可控硅的电流小于维持电流时,可控硅就自行断开()
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主观题
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单选题
可控硅截止条件除阳极、阴极间加反向压,导通电流应()维持电流
A.大于 B.小于 C.等于 D.高于
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可控硅过电流优先触发的保护是()
可控硅元件的维持电流越小越好。
可控硅元件的维持电流越小越好()
可控硅反向电压大于反向最高测试电压时,可控硅________。
若发电机电压高于额定值时,可控硅分流值加大,励磁电流减小()
用小容量可控硅触发大功率可控硅的触发电路的缺点是还需要触发小可控硅,用的元件比较多()
当温度降低时,可控硅的触发功率()。
可控硅加正向阳极电压,控制极不加触发电压,可控硅不导通称为可控硅正向阻断()
选择双向可控硅时,其额定电流应等于每个反并联普通可控硅额定电流的()。
可控硅触发电路不该触发时,其触发回路电压应低于()。
选择双向可控硅时,其额定电流应等于每个反并联普通可控硅额定电流的()倍。
下列()触发方式不属于可控硅触发电路。
下列()触发方式不属于可控硅触发电路。
可控硅触发电路包括方波电源及其削波稳压电路,移相触发电路、偏移电路、给定电路、电流反馈电路、电压()。
单向可控硅导通以后,流过可控硅的电流,决定于()
可控硅的阳极直流电位是20v,阴极电位是OV,给控制极3V触发电压,此时可控硅导通,当取消3V触发电压时,可控硅()
可控硅不触发时,触发电路的电压应控制在之间()
单向可控硅可靠导通后,降低控制极电流,可控硅将( )。
单向可控硅可靠导通后,降低控制极电流,可控硅将()。
单相桥式可控硅整流电路中可控硅流过的平均电流是负载电流的()倍。
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