关于抑制性突触后电位（IPSP）产生的叙述，哪一项是错误的?
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关于抑制性突触后电位（IPSP）产生的叙述，哪一项是错误的?
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关于抑制性突触后电位（IPSP），下列叙述错误的是（）。
A.CI-通道开放可降低IPSP B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D.IPSP使神经元的兴奋性增加 E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
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关于抑制性突触后电位（IPSP）的生产过程的描述，哪一项是错误的？
A.突出前末梢去极化 B.Ca C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
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关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?( )
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关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的（）
A.突触前轴突末梢去极化 B.Ca2 斗由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对 K+.Cl-的通透性升高 E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动答案
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关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的
A.突触前轴突末梢去极化 B.Ca C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K E.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
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关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的（）
A.突触前轴突末梢去极化 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 E.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
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产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是
A.突触前末梢递质释放减少 B.突触后膜Ca C.突触后膜Na D.中间神经元受抑制 E.突触后膜发生超极化
答案
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的（）
A.突触前末梢去极化 B.#$IMG0$# C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.#$IMG1$# E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
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关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的
A.突触前末梢去极化 B.Ca
由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K
、Cl
或Cl
的通透性升高 E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高 E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动 答案
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是：
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
兴奋性突触后电位（EPSP）和抑制性突触后电位（IPSP）共有的特点是（）
抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）
下列关于抑制性突触后电位的叙述（）
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）。
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的
抑制性突触后电位产生的离子机制是
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
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