关于Mosfet管的静态特性，说法错误的是（）
A. Mosfet管一定是可以反向导通的
B. Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通
C. Mosfet管加正向电压，当栅源极施加电压大于门槛电压时，会导通
D. Mosfet管的线性区是饱和区
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关于Mosfet管的静态特性，说法错误的是（）
A.Mosfet管一定是可以反向导通的 B.Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通 C.Mosfet管加正向电压，当栅源极施加电压大于门槛电压时，会导通 D.Mosfet管的线性区是饱和区
答案
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答案
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答案
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