单选题

关于Mosfet管的静态特性,说法错误的是()

A. Mosfet管一定是可以反向导通的
B. Mosfet管加正向电压,当栅漏极施加电压大于门槛电压时,会导通
C. Mosfet管加正向电压,当栅源极施加电压大于门槛电压时,会导通
D. Mosfet管的线性区是饱和区

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单选题
关于Mosfet管的静态特性,说法错误的是()
A.Mosfet管一定是可以反向导通的 B.Mosfet管加正向电压,当栅漏极施加电压大于门槛电压时,会导通 C.Mosfet管加正向电压,当栅源极施加电压大于门槛电压时,会导通 D.Mosfet管的线性区是饱和区
答案
单选题
电力MOSFET不具备静态特性。()
A.正确 B.错误
答案
判断题
功率MOSFET的静态特性主要包括输出特性和转移特性()
答案
主观题
关于静态成员说法错误的是
答案
多选题
IGBT是MOSFET和GTR复合的产物,具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性,下列哪项属于它的特性()
A.功率大 B.开关频率高 C.通态压降低 D.损耗功率小
答案
单选题
下述关于类的静态成员的特性中,描述错误的是()
A.说明静态数据成员时前边要加修饰符static B.静态数据成员要在类体外定义 C.引用静态数据成员时,要在静态数据成员前加和作用域运算符 D.每个对象有自己的静态数据成员副本
答案
单选题
下述关于类的静态成员的特性中,描述错误的是()
A.说明静态数据成员时前边要加修饰符static B.静态数据成员要在类体外定义 C.引用静态数据成员时,要在静态数据成员前加和作用域运算符 D.每个对象有自己的静态数据成员副本
答案
单选题
对于传感器的静态特性指标,下述说法错误的是()
A.应选取输出值在正、反行程间的最大差值,用于计算迟滞度 B.传感器的分辨力越小,则灵敏度就会越高 C.传感器正、反行程的重复性应分别计算 D.应采用统计指标——标准偏差,来计算重复性
答案
主观题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似,区别在于()。
答案
主观题
关于静态分配 的说法是错误的
答案
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