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选择正确答案填入空内: N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。
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主观题
选择正确答案填入空内: N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。
答案
主观题
选择正确答案填入空内: 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
答案
单选题
CMOS集成电路以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管为基本单元的组件。若串联则互补构成,若并联互补则构成传输门。(4062)()
A.反相器 B.放大器 C.加法器 D.乘法器
答案
主观题
中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管,UGS只能为( )电压。(填写正/负)";
答案
主观题
P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
答案
单选题
由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。(4067)()
A.栅极/栅极 B.源极/栅极 C.漏极/栅极 D.源极.源极
答案
单选题
P沟道增强型MOS管中,外加电压uGS的极性为()
A.正 B.负 C.可正可负 D.不确定
答案
判断题
增强型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道
答案
主观题
中国大学MOOC: UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。(填写增强型MOS管/耗尽型MOS管/JFET)
答案
判断题
增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。
答案
热门试题
N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>__, UDSQ>____()
N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度,和UGS的大小有关
中国大学MOOC: p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
下面关于N沟道增强型场效应管的描述中,正确的是
增强型MOS管具有开启电压()
N沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应大于夹断断电压小于零()
增强型N-MOSFET,Ugs(th)=4 V, Vg=6V, Vs=0V,Vd>________V,它将工作在恒流状态
增强型N-MOSFET,Ugs(th)=4 V, Vg=6V, Vs=1V,Uds >________V,它工作在恒流状态
N型沟道增强型场效应管只有当VGS>VT时才开始导电()
增强型mos场效应管由于预先
增强型MOS管可以采用自给偏压电路设置静态工作点。
N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()
N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内()
N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子,少子为空穴()
N沟道增强型绝缘栅场效晶体管,栅源电压VGS是()
兼有两种增强型MOS电路称为CMOS电路()
对N沟道增强型场效应管作放大作用时,场效应管应工作在区()
中国大学MOOC: n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是( )。
已知放大电路中一只N沟道增强型场效应管三个电极①②③的电位分别为4V、8V、12V,且管子工作在恒流区,则下面说法中正确的是
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体()
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