选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。

CMOS电路是由N沟道的MOS管组成的（） 由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（） CMOS集成电路以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管为基本单元的组件。若串联则互补构成，若并联互补则构成传输门。（4062）（） 中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）"; 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度，和UGS的大小有关 双极型晶体管导电的载流子是 _________ ； N 沟道场效应管导电的载流子是 __________;P 沟道导电的载流子是 _______ 。 A 电子 B 空穴 C 电子和空穴 P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电（） N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） P沟道增强型MOS管中，外加电压uGS的极性为（） Mos管分为__和P沟道两种 P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。() 结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（） 场效应管U加上正向电压，在（）与P型衬底间形成一个电场，该电场使P型衬底表面形成N型导电沟道。 P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。() P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。() 增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道 中国大学MOOC: 结型场效应管初始时存在导电沟道。 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是