为了确保新极安装精度，新极在换入后（）小时，需测等距压降。

四极非等距法测量土壤电阻率，可根据电流极与电位极间距、电位极间距和接地阻抗值，通过计算得到被测场地的视在土壤电阻率（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 锗二极管的正向压降通常为（）。 硅二极管导通压降是（）V 锗二极管导通压降是（）V 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。（） 指测法检测眼内压，眼球极软的记为（） 硅二极管的正向导通压降约为 锗二极管正向导通压降约为V（） 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 二极管正向导通后，电流迅速上升，管压降也随者上升（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 部位需涂抹Ⅱ号防锈极压锂基脂（） 当温度升高时，二极管导通压降会 当温度升高时，二极管导通压降会（）。‍ 二极管1N4007的正向压降约为（） 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（）